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本发明公开的离子束刻蚀方法包括：提供离子束刻蚀机，所述离子束刻蚀机包括用于提供离子束的离子源以及用于支撑半导体材料的支撑台；将半导体材料定位于所述支撑台上；以及控制所述离子束以0‑45°的入射角度对所述半导体材料进行刻蚀。该方法可以精确控制...
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