离子束刻蚀方法技术

本发明专利技术公开的离子束刻蚀方法包括：提供离子束刻蚀机，所述离子束刻蚀机包括用于提供离子束的离子源以及用于支撑半导体材料的支撑台；将半导体材料定位于所述支撑台上；以及控制所述离子束以0‑45°的入射角度对所述半导体材料进行刻蚀。该方法可以精确控制半导体材料的形状和大小，而且不容易在半导体材料上产生毛刺和残留物，从而提高半导体器件的制造精度和性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种离子束刻蚀方法。

技术介绍

1、刻蚀是半导体制造工艺、微电子制造工艺以及微纳米级制造工艺中的一种相当重要的步骤。例如，在半导体器件制造中，需要对半导体材料进行加工以调整其尺寸或形状。离子束刻蚀技术相较机械或化学切割而言更具优势，但目前的离子束刻蚀方法精度不足，无法适合当前的生产需要。

2、因此，亟待提供一种改进的离子束刻蚀方法以克服以上缺陷。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种改进的离子束刻蚀方法，可以精确控制半导体材料的形状和大小，而且不容易在半导体材料上产生毛刺和残留物，从而提高半导体器件的制造精度和性能。

2、为实现上述目的，本专利技术离子束刻蚀方法，包括以下步骤：

3、提供离子束刻蚀机，所述离子束刻蚀机包括用于提供离子束的离子源以及用于支撑半导体材料的支撑台；

4、将半导体材料定位于所述支撑台上；以及

5、控制所述离子束以0-45°的入射角度对所述半导体材料进行刻蚀。</p>

6、与现本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种离子束刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的离子束刻蚀方法，其特征在于，所述半导体材料包括硅、碳化硅、氮化硅和/或砷化镓。

3.如权利要求1所述的离子束刻蚀方法，其特征在于，所述离子束的能量为5kV至10kV。

4.如权利要求1所述的离子束刻蚀方法，其特征在于：所述离子束的流量为80μA/cm2至100μA/cm2。

5.如权利要求1所述的离子束刻蚀方法，其特征在于，所述离子束刻蚀机为反应离子束刻蚀机、电子束物理气相沉积机或离子束沉积机。

6.如权利要求1所述的离子束刻蚀方法，其特征在于，所述离子束...

【技术特征摘要】

1.一种离子束刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的离子束刻蚀方法，其特征在于，所述半导体材料包括硅、碳化硅、氮化硅和/或砷化镓。

3.如权利要求1所述的离子束刻蚀方法，其特征在于，所述离子束的能量为5kv至10kv。

4.如权利要求1所述的离子束刻蚀方法，其特征在于：所述离子束的流量为80μa/cm2至100μa/cm...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡咏兵，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：