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本发明提供了一种双信号分子印迹传感器及其制备方法与其在检测GenX中的应用。本发明双信号分子印迹传感器包括基础电极，以及依次设置于所述基础电极表面的金纳米颗粒、焦耳热碳材料层、硫堇内置探针和MIP薄膜，所述MIP薄膜包括去除GenX模板分子...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

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