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一种双信号分子印迹传感器及其制备方法与其在检测GenX中的应用技术

技术编号:45091966 阅读:15 留言:0更新日期:2025-04-25 18:28
本发明专利技术提供了一种双信号分子印迹传感器及其制备方法与其在检测GenX中的应用。本发明专利技术双信号分子印迹传感器包括基础电极,以及依次设置于所述基础电极表面的金纳米颗粒、焦耳热碳材料层、硫堇内置探针和MIP薄膜,所述MIP薄膜包括去除GenX模板分子的聚合物单体。本发明专利技术利用ECB/AuNPs涂层有助于增强伏安响应,MIP层的优化设置提供了更高的峰值变化。制备的电化学传感器用于检测水中的GenX,具有特异性高,稳定性强、抗干扰能力好的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电化学传感,尤其是指一种分子印迹传感器的制备方法,以及其在地下水中六氟丙烯醚二酸(genx)检测的应用。


技术介绍

1、六氟丙烯醚二酸(genx)是用作制造耐化学性和不粘产品的前体分子,由于其在水体和土壤中的持久性和生物累积性,对人类健康和生态环境构成了严重威胁。相关报道证明,genx的毒性会高于常见的长链全氟。为识别污染源,需要快速检测genx。常用的色谱、质谱等方法用来检测和定量genx的成本很高,并且难以部署作为连续监测的手段。相比之下,电化学传感器具有小型化、价格低廉和灵敏度高的优点。电化学分子印迹传感器,作为分子印迹技术应用的典范,专门设计用于精确识别特定目标分子。其工作原理在于,通过精确构建与目标分子形状、尺寸及功能基团相吻合的印迹空腔,实现对目标分子的高效且专一的捕获。这种传感器不仅展现出了卓越的选择性和亲和力,还兼具出色的稳定性和简便的制备流程,为各类检测应用提供了强有力的技术支持。

2、然而,目前基于分子印迹技术识别genx的电化学传感器在制备过程中仍面临一些挑战,低浓度的genx就可对生态环境造成威胁,目前的分本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双信号分子印迹传感器,其特征在于,包括基础电极,以及依次设置于所述基础电极表面的金纳米颗粒、焦耳热碳材料层、硫堇内置探针和MIP薄膜,所述MIP薄膜包括去除GenX模板分子的聚合物单体。

2.根据权利要求1所述的双信号分子印迹传感器,其特征在于,所述基础电极为玻碳电极;所述聚合物单体包括邻苯二胺与3,4-乙烯二氧噻吩。

3.根据权利要求2所述的双信号分子印迹传感器,其特征在于,所述邻苯二胺与3,4-乙烯二氧噻吩的摩尔比为(1:1)~(10:1)。

4.一种如权利要求1~3中任一项所述双信号分子印迹传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:...

【技术特征摘要】

1.一种双信号分子印迹传感器,其特征在于,包括基础电极,以及依次设置于所述基础电极表面的金纳米颗粒、焦耳热碳材料层、硫堇内置探针和mip薄膜,所述mip薄膜包括去除genx模板分子的聚合物单体。

2.根据权利要求1所述的双信号分子印迹传感器,其特征在于,所述基础电极为玻碳电极;所述聚合物单体包括邻苯二胺与3,4-乙烯二氧噻吩。

3.根据权利要求2所述的双信号分子印迹传感器,其特征在于,所述邻苯二胺与3,4-乙烯二氧噻吩的摩尔比为(1:1)~(10:1)。

4.一种如权利要求1~3中任一项所述双信号分子印迹传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:王颖程琛李风亭
申请(专利权)人:同济大学
类型:发明
国别省市:

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