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本申请提供一种半导体结构的刻蚀方法、半导体器件及电子设备，刻蚀方法包括在初始刻蚀阶段采用0‑400W的下电极功率对抗反射涂层、硬掩模层进行刻蚀，直至暴露出层间介质层；在主刻蚀阶段，以未被刻蚀的硬掩膜层为掩膜，采用2500W‑3500W的下电...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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