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本发明属于二维材料和电子信息器件领域，具体涉及一种基于电荷隧穿势垒和原子级锐利界面的超快、稳健多功能浮栅晶体管制备方法。本发明的方法所构筑的FGFET具有超大开关比(10<supgt;8</supgt;)，超大存储窗口，可以实现...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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