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本申请公开了一种半导体器件及其制作方法、存储系统、电子设备；其中，堆叠结构包括层叠且交替设置的多个绝缘层以及多个栅极功能层，堆叠结构还包括阵列区以及位于阵列区至少一侧的台阶区，堆叠结构在台阶区具有与多个栅极功能层分别对应设置的多个台阶；栅极...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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