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本发明公开一种带间和子带间混合型TM电吸收调制器,包括量子阱结构;所述量子阱结构包括至少一个量子阱和至少一个壁垒;所述量子阱具有一个导带底能级,和至少一个导带高阶能级;所述导带高阶能级与导带底能级具有和设计吸收光子相同的能量差。本发明在常规...该专利属于深圳市斑岩光子技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市斑岩光子技术有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种带间和子带间混合型TM电吸收调制器,包括量子阱结构;所述量子阱结构包括至少一个量子阱和至少一个壁垒;所述量子阱具有一个导带底能级,和至少一个导带高阶能级;所述导带高阶能级与导带底能级具有和设计吸收光子相同的能量差。本发明在常规...