一种带间和子带间混合型TM电吸收调制器制造技术

本发明专利技术公开一种带间和子带间混合型TM电吸收调制器，包括量子阱结构；所述量子阱结构包括至少一个量子阱和至少一个壁垒；所述量子阱具有一个导带底能级，和至少一个导带高阶能级；所述导带高阶能级与导带底能级具有和设计吸收光子相同的能量差。本发明专利技术在常规带间吸收的基础上，通过巧妙设计调节量子阱宽度和壁垒高度，增加多个导带能级，实现与带间吸收具有相同吸收能量的可调制子带间吸收，可增加电吸收器量子效率上限，其是工业界和学术界首次提出在半导体量子阱中同时使用子带间(inter‑subband)和带间(inter‑band)吸收对同一操作波长实现电吸收调制，对于能带的精确计算和设计有极高要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电吸收调制器，尤其涉及一种带间和子带间混合型tm电吸收调制器。

技术介绍

1、现有常见电吸收调制器主要依赖电子在带间吸收，即电子从价带跃迁到导带吸收光子。该常规吸收模式设计相对简单，其受到材料本身禁带能量范围限制，并且每个电子在每个量子阱中对应吸收一个光子，最大量子吸收效率受到限制。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种带间和子带间混合型tm电吸收调制器，本专利技术在常规带间吸收的基础上，通过巧妙设计调节量子阱宽度和壁垒高度，增加多个导带能级，实现与带间吸收具有相同吸收能量的可调制子带间吸收，可增加电吸收器量子效率上限。

2、为实现上述目的，采用以下技术方案：

3、一种带间和子带间混合型tm电吸收调制器，包括量子阱结构；所述量子阱结构包括至少一个量子阱和至少一个壁垒；所述量子阱具有一个导带底能级，和至少一个导带高阶能级；所述导带高阶能级与导带底能级具有和设计吸收光子相同的能量差。

4、进一步的，所述量子阱被设计为：在零偏压下，所述量子阱的带间和子带间对本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种带间和子带间混合型TM电吸收调制器，其特征在于，包括量子阱结构；所述量子阱结构包括至少一个量子阱和至少一个壁垒；所述量子阱具有一个导带底能级，和至少一个导带高阶能级；所述导带高阶能级与导带底能级具有和设计吸收光子相同的能量差。

2.根据权利要求1所述的带间和子带间混合型TM电吸收调制器，其特征在于，所述量子阱被设计为：在零偏压下，所述量子阱的带间和子带间对设计波长的光子吸收很小，而在操作偏压下，子带间和带间对操作波长的吸收同时达到峰值。

3.根据权利要求1所述的带间和子带间混合型TM电吸收调制器，其特征在于，还包括n掺杂基底、p掺杂衬底，以及布置于n掺杂基...

【技术特征摘要】

1.一种带间和子带间混合型tm电吸收调制器，其特征在于，包括量子阱结构；所述量子阱结构包括至少一个量子阱和至少一个壁垒；所述量子阱具有一个导带底能级，和至少一个导带高阶能级；所述导带高阶能级与导带底能级具有和设计吸收光子相同的能量差。

2.根据权利要求1所述的带间和子带间混合型tm电吸收调制器，其特征在于，所述量子阱被设计为：在零偏压下，所述量子阱的带间和子带间对设计波长的光子吸收很小，而在操作偏压下，子带间和带间对操作波长的吸收同时达到峰值。

3.根据权利要求1所述的带间和子带间混合型tm电吸收调制器，其特征在于，还包括n掺杂基底、p掺杂衬底，以及布置于n掺杂基底上的过渡层；所述量子阱结构包括最高壁垒、高能量量子阱、中间壁垒、窄带宽量子阱；所述最高壁垒、高能量量子阱、中间壁垒和窄带宽量子阱从上至下依次布置于过渡层与p掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：文博昱，
申请(专利权)人：深圳市斑岩光子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：