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本发明公开了一种基于轻金属离子掺杂量子点的碳化硅离子束抛光优化方法，属于牺牲层材料技术领域。本发明的SiC材料表面原位生长CsPbBr<subgt;3</subgt;量子点牺牲层的方法，包括以下步骤：将铅源、铯源与溶剂混合，得到...
该专利属于长春理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过长春理工大学授权不得商用。

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