一种基于轻金属离子掺杂量子点的碳化硅离子束抛光优化方法技术

本发明专利技术公开了一种基于轻金属离子掺杂量子点的碳化硅离子束抛光优化方法，属于牺牲层材料技术领域。本发明专利技术的SiC材料表面原位生长CsPbBr<subgt;3</subgt;量子点牺牲层的方法，包括以下步骤：将铅源、铯源与溶剂混合，得到CsPbBr<subgt;3</subgt;前驱体溶液；在所述CsPbBr<subgt;3</subgt;前驱体溶液中掺杂轻金属离子，得到轻金属离子掺杂的CsPbBr<subgt;3</subgt;前驱体溶液；将所述轻金属离子掺杂的CsPbBr<subgt;3</subgt;前驱体溶液滴加到SiC材料表面，涂平，升温析晶，退火，得到原位生长有CsPbBr<subgt;3</subgt;量子点牺牲层的SiC材料。本发明专利技术将CsPbBr<subgt;3</subgt;量子点层作为SiC晶圆的牺牲层，通过轻金属离子掺杂提高了其量子点的发光性能，同时增强了量子点层与SiC晶圆的界面结合力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及牺牲层材料，特别是涉及一种基于轻金属离子掺杂量子点的碳化硅离子束抛光优化方法。

技术介绍

1、碳化硅(sic)作为一种具备卓越性能的先进材料，因其优异的机械强度、高温稳定性、化学惰性以及宽带隙半导体特性，在多个领域得到了广泛应用。特别是在半导体和光电子器件中，sic因其能在高压、高温和极端环境下保持性能稳定，成为了下一代电子和光电技术的重要基础材料。然而，正是由于sic材料的高硬度和极强的化学惰性，使得传统的化学抛光工艺难以满足高精度加工的要求。现有的sic材料在化学抛光过程中往往会出现加工效率低、时间长、表面质量差等问题，容易导致表面微观缺陷、划痕或损伤，进而影响器件的整体性能和可靠性。随着对sic材料表面质量要求的不断提高，传统抛光技术在高精度加工中的局限性日益凸显。

2、离子束抛光通过利用高能离子束流的物理和化学特性，可以对sic表面的微观组织进行去除与修饰，实现高度精确的材料表面加工。与传统机械抛光不同，离子束抛光过程无需直接接触材料表面，因而避免了机械应力引发的损伤，提高了抛光的均匀性和表面光洁度。此外，离子束抛光在处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC材料表面原位生长CsPbBr3量子点牺牲层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铅源为PbBr2；所述铯源CsBr；所述铅源和铯源的摩尔比为0.9-1.1。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶剂为聚甲基丙烯酸甲酯和/或N,N-二甲基甲酰胺。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述轻金属离子的种类为Na+或K+。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述升温析晶的温度为70-100℃，时间为1-2min。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种sic材料表面原位生长cspbbr3量子点牺牲层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铅源为pbbr2；所述铯源csbr；所述铅源和铯源的摩尔比为0.9-1.1。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶剂为聚甲基丙烯酸甲酯和/或n,n-二甲基甲酰胺。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述轻金属离子的种类为na+或k+。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述升温析晶的温度为70-100℃，时间为1-2min。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火的温度为70-110℃，时间为1-...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝群，陈梦璐，石峰，赵雪，彭星，乔冬阳，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：