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形成图案的方法至少包括以下步骤。提供具有第一开口的第一介电层。在第一开口中沉积第一晶种层以及第一导电层。移除第一导电层的部分以形成凹陷。在凹陷中沉积空孔迁移阻挡层以及第二导电层,使得第一晶种层、第一导电层、空孔迁移阻挡层以及第二导电层形成第...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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形成图案的方法至少包括以下步骤。提供具有第一开口的第一介电层。在第一开口中沉积第一晶种层以及第一导电层。移除第一导电层的部分以形成凹陷。在凹陷中沉积空孔迁移阻挡层以及第二导电层,使得第一晶种层、第一导电层、空孔迁移阻挡层以及第二导电层形成第...