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本技术公开了一种引线框架的基岛，所述基岛沿其高度方向依次具有用以承载芯片的上半区域和用于散热的下半区域，所述上半区域与所述下半区域固接，所述基岛的侧壁上处于所述上半区域与所述下半区域的交界处向内凹陷形成一锁胶槽，所述锁胶槽具有相对设置的第一...
该专利属于甬矽电子（宁波）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过甬矽电子（宁波）股份有限公司授权不得商用。

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