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本发明为一种具有光散射结构的深紫外发光二极管及其制备方法。该发光二极管的组成包括：沿着芯片外延生长方向依次为衬底层、缓冲层、N‑型半导体传输层；其中，N‑型半导体传输层的形状为上下两部分，多量子阱有源层、P‑型半导体传输层、P‑GaN接触层...
该专利属于河北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过河北工业大学授权不得商用。

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