温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种金属氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管。该半导体薄膜包括至少一层高迁移率金属氧化物半导体薄膜和至少一层光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜构成的叠层结构；光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜用于淬灭光生载流子；高迁移率金属氧化物半导体...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。