一种金属氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种金属氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管。该半导体薄膜包括至少一层高迁移率金属氧化物半导体薄膜和至少一层光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜构成的叠层结构；光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜用于淬灭光生载流子；高迁移率金属氧化物半导体薄膜的载流子迁移率大于光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜的载流子迁移率；光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜在光照情况下和暗态情况下的载流子浓度的差值与光照情况下载流子浓度的比值小于高迁移率金属氧化物半导体薄膜在光照情况下和暗态情况下的载流子浓度的差值与光照情况下载流子浓度的比值。上述方案提高了金属氧化物半导体薄膜的载流子迁移率以及光稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种金属氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管。

技术介绍

1、薄膜晶体管作为液晶、有机显示器的关键器件，对于显示器件的工作性能具有十分重要的作用。常见的薄膜晶体管主要有非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管以及金属氧化物薄膜晶体管。目前金属氧化物薄膜晶体管由于其易于大面积化、迁移率较高、稳定性好、成本低的特点，被人们广泛的关注，并且在中大尺寸显示中已经被广泛使用。目前能保证器件稳定性的前提下被用于量产的金属氧化物是铟镓锌氧化物(igzo(in：ga：zn＝1：1：1))。该材料的迁移率较低，仅为10cm2/vs左右。但是当人们试图通过改变组分提升氧化物薄膜迁移率时，器件的稳定性，特别是光照稳定性却又无法满足产品要求。因此如何打破高迁移率和高的光稳定性这对矛盾关系，是现在金属氧化物半导体材料及制备工艺的研究重点。

2、目前氧化物薄膜制备所采用最广泛的成膜方式为物理气相沉积(pvd)。但是pvd制备的薄膜密度相对较低，缺陷较多，如果需要实现更高的迁移率，就需要更多的in/sn离子含量，进而对稳定性，特别对光稳定性有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金属氧化物半导体薄膜，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜，其特征在于，所述光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜的费米能级相比所述高迁移率金属氧化物半导体薄膜的费米能级相对于真空费米能级的差值的绝对值小于或等于0.5eV；

3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜，其特征在于，所述高迁移率金属氧化物半导体薄膜的厚度大于或等于10埃，且小于或等于500埃；和/或，所述光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜的厚度大于或等于100埃，且小于或等于2000埃。

4.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜，其特征在于，所述高迁...

【技术特征摘要】

1.一种金属氧化物半导体薄膜，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜，其特征在于，所述光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜的费米能级相比所述高迁移率金属氧化物半导体薄膜的费米能级相对于真空费米能级的差值的绝对值小于或等于0.5ev；

3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜，其特征在于，所述高迁移率金属氧化物半导体薄膜的厚度大于或等于10埃，且小于或等于500埃；和/或，所述光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜的厚度大于或等于100埃，且小于或等于2000埃。

4.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜，其特征在于，所述高迁移率金属氧化物半导体薄膜的至少一个表面设置有所述光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜。

5.根据权利要求4所述的金属氧化物半导体薄膜，其特征在于，所述高迁移率金属氧化物半导体薄膜和所述光生载流子淬灭金属氧化物半导体薄膜构成的叠层结构包括ab叠层结...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐苗，李民，邹建华，陶洪，王磊，彭俊彪，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：