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提供了外延区和子鳍区之间的电介质隔离。本文提供了形成集成电路的技术，该集成电路具有形成在源极或漏极区下方的空腔中的电介质材料。空腔可以形成在半导体器件的子鳍部分内。在一个这样的示例中，FET(场效应晶体管)包括围绕半导体材料的鳍或任意数量的...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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