【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、随着集成电路尺寸的不断缩小，出现了许多挑战。例如，减小互连结构内的存储器和逻辑单元的尺寸正变得越来越困难，减小器件层处的器件间距也是如此。由于各种晶体管元件可能会经历许多不同的制造过程，因此在各种晶体管元件之间维持某一水平的质量可能是一项挑战。因此，关于形成这种半导体器件，仍然存在许多重要的挑战。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种集成电路，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中一个或多个半导体主体是包括锗、硅或其任意组合的纳米带、纳米片或纳米线。
3.根据权利要求2所述的集成电路，其中电介质填充物的顶表面低于最底部的纳米带、纳米片或纳米线的底表面。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中电介质层是第一电介质层，并且集成电路还包括电介质填充物下方的第二电介质层，使得第二电介质层在电介质填充物和第一电介质层之间。
5.根据权利要求4所述的集成电路，其中电介质填充物包括硅和氧，并且第二电介质层包括硅和氮。
6.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中一个或多个半导体主体是包括锗、硅或其任意组合的纳米带、纳米片或纳米线。
3.根据权利要求2所述的集成电路，其中电介质填充物的顶表面低于最底部的纳米带、纳米片或纳米线的底表面。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中电介质层是第一电介质层，并且集成电路还包括电介质填充物下方的第二电介质层，使得第二电介质层在电介质填充物和第一电介质层之间。
5.根据权利要求4所述的集成电路，其中电介质填充物包括硅和氧，并且第二电介质层包括硅和氮。
6.根据权利要求1所述的集成电路，还包括在源极或漏极区的顶表面上的包括硅和钛的硅化物层。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的集成电路，其中电介质填充物在第三方向上延伸穿过电介质层的总厚度的至少一部分。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的集成电路，其中电介质填充物接触栅极结构的下部。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的集成电路，其中第一方向与第二方向正交。
10.根据权利要求1至6中任一项所述的集成电路，其中栅极结构包括栅极电介质和栅极电介质上的栅电极。
11.根据权利要求1至6中任一项所述的集成电路，其中电介质填充物的顶表面接触源极或漏极区的底表面。
12.一种印刷电路板，包括根据权利要求1至6中任一项所述的集成电路。
13.一种电子器件，包括：
14.根据权利要求13所述的电子器件，其中一个或多个半导体主体是包括锗、硅或其任意组合的纳米带、纳米片或纳米线。
15...
【专利技术属性】
技术研发人员：CT·黄，R·赵，J·梅塔，褚涛，许国伟，洪挺翔，张凤，张扬，林家庆，林崇勋，A·穆尔蒂，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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