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一种形成沟槽栅极场效应晶体管的方法包括以下处理步骤。沟槽形成在半导体衬底中。半导体衬底在包括氢气的环境中退火。形成至少内衬在沟槽的侧壁上的电介质层。在退火和形成电介质层之间的时间期间，半导体衬底保持在惰性环境中以防止在形成电介质层之前沿沟槽...
该专利属于飞兆半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞兆半导体公司授权不得商用。

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