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本发明提供改善蚀刻形状的技术。提供一种蚀刻方法，其包括下述工序：提供包括第一膜和第一膜上的第二膜的基板工序，且第一膜包含硅，第二膜包含至少1个开口；以及，由处理气体生成等离子体并对第一膜进行蚀刻的工序，且处理气体包含氟化氢气体、第一含卤素气...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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