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本公开提供了一种存储器元件的制造方法，至少包括以下步骤：在基底上形成第一内连线与第一介电层。对所述第一介电层进行第一化学机械抛光工艺。在所述第一介电层上方形成堆叠结构，并在所述堆叠结构中形成阶梯结构。在所述基底上形成第二介电层，以覆盖所述堆...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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