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一种用于形成半导体器件(1)的方法，该方法包括：在衬底(4)上形成多个层堆叠(10a、10b)，该层堆叠横向间隔开；将每个层堆叠(10a、10b)转换成场效应晶体管FET堆叠(60a、60b)，每个FET堆叠(60a、60b)包括层堆叠(1...
该专利属于IMEC非营利协会所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC非营利协会授权不得商用。

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