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本发明提供一种内存单元结构，包括晶体管结构和电容器结构，其中电容器结构包括氢吸收层。氢吸收层吸收氢，这防止或减少氢扩散到晶体管结构的下面的金属氧化物通道中的可能性。以此方式，氢吸收层最小化和/或降低金属氧化物通道中氢污染的可能性，这可以使得...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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