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在实施例中，半导体器件包括：第一纳米结构；接触第一纳米结构的第一伪区域的第一未掺杂的半导体层；位于第一未掺杂的半导体层上的第一间隔件；位于第一间隔件上的第一源极/漏极区域，第一源极/漏极区域接触第一纳米结构的第一沟道区域；以及环绕第一纳米结...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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