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一种半导体器件，包括：衬底，包括有源图案；沟道图案，包括第一半导体图案和第二半导体图案；源/漏图案，连接到第一半导体图案和第二半导体图案；栅电极，包括第一半导体图案与第二半导体图案之间的电极；以及绝缘层，在第一半导体图案和第二半导体图案与电...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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