半导体器件以及制造该半导体器件的方法技术

一种半导体器件，包括：衬底，包括有源图案；沟道图案，包括第一半导体图案和第二半导体图案；源/漏图案，连接到第一半导体图案和第二半导体图案；栅电极，包括第一半导体图案与第二半导体图案之间的电极；以及绝缘层，在第一半导体图案和第二半导体图案与电极之间。绝缘层包括介电层和介电层上的间隔物，该介电层包围电极。间隔物包括：水平部分，在介电层与第二半导体图案之间；竖直部分，在介电层与源/漏图案之间；以及角部部分，将水平部分连接到竖直部分。水平部分的第一厚度小于竖直部分的第二厚度，并且第二厚度小于角部部分的第三厚度。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体器件以及制造该半导体器件的方法，并且具体地，涉及包括场效应晶体管的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。

技术介绍

1、半导体器件包括由金属氧化物半导体场效应晶体管(mos-fet)构成的集成电路。为了满足对具有小图案尺寸和简化设计规则的半导体器件日益增长的需求，mos-fet正在大幅缩小。mos-fet的缩小可能导致半导体器件的操作特性的恶化。正在进行各种研究以克服与半导体器件的缩小相关联的技术限制并实现高性能半导体器件。

技术实现思路

1、本专利技术构思的一些示例实施例提供了一种具有改进的电特性的半导体器件。

2、本专利技术构思的一些示例实施例提供了一种制造具有改进的电特性的半导体器件的方法。

3、根据本专利技术构思的一些示例实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，包括有源图案；有源图案上的沟道图案，沟道图案包括彼此间隔地堆叠的第一半导体图案和第二半导体图案；源/漏图案，连接到第一半导体图案和第二半导体图案；沟道图案上的栅电极，栅电极包括介于第一半导体图案与第二半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，内部区域被限定在所述第一半导体图案和所述第二半导体图案与所述源/漏图案之间，

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述内间隔物包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层选择性地设置在所述第一凹陷区域中，所述第二绝缘层包围所述高k介电层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二绝缘层在所述水平部分中的厚度小于所述第二绝缘层在所述竖直部分中的厚度。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

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【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，内部区域被限定在所述第一半导体图案和所述第二半导体图案与所述源/漏图案之间，

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述内间隔物包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层选择性地设置在所述第一凹陷区域中，所述第二绝缘层包围所述高k介电层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二绝缘层在所述水平部分中的厚度小于所述第二绝缘层在所述竖直部分中的厚度。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

8.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述内部区域还包括：

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

11.一种半导体器件，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：李善英，刘贤琯，金孝珍，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：

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