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本公开提供能抑制电流崩塌的半导体装置。半导体装置具有：阻挡层，该阻挡层的上表面具有氮极性；沟道层，位于所述阻挡层之上，该沟道层的上表面具有氮极性；第一帽层，位于所述沟道层之上，该第一帽层的上表面具有氮极性；以及电介质膜，与所述第一帽层的所述...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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