【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置。
技术介绍
1、以往，提出了在阻挡层之上形成有沟道层的高电子迁移率晶体管(high electronmobility transistor：hemt)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：国际公开第2005/119787号
5、近年来，电流崩塌的抑制的要求逐渐提高。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供能抑制电流崩塌的半导体装置。
2、本公开的半导体装置具有：阻挡层，该阻挡层的上表面具有氮极性；沟道层，位于所述阻挡层之上，该沟道层的上表面具有氮极性；第一帽层，位于所述沟道层之上，该第一帽层的上表面具有氮极性；以及电介质膜，与所述第一帽层的所述上表面相接，所述第一帽层是氮化铝层。
3、专利技术效果
4、根据本公开，能抑制电流崩塌。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，具有：
2.一种半导体装置，具有：
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，具有：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具有：
2.一种半导体装置，具有：
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉田成辉，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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