温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种形成半导体装置的方法。此方法包括在一基板的一通道区上方形成一高介电常数栅极介电层；在高介电常数栅极介电层上方沉积一功函数金属层；在功函数金属层上方形成一氮化钛盖体，其中氮化钛盖体包括一个或多个充氧区域；在氮化钛盖体上沉积一硅盖层；在硅盖...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。