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本说明书实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、半导体布局版图、MOS器件。制备方法包括：提供半导体衬底；半导体衬底包括浅沟槽隔离区域、以及被浅沟槽隔离区域定义出的有源区；其中，浅沟槽隔离区域的表面形成有与有源区的表面相接的凹坑；凹坑具有自...
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