【技术实现步骤摘要】
本说明书中实施例涉及半导体，特别涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体布局版图、mos器件。
技术介绍
1、目前，在进行一些栅极结构的制备过程中，需要先利用伪栅极材料在半导体衬底上形成伪栅极结构，并以伪栅极结构作为位置基准，进行后续的工艺步骤，如制作栅极侧墙、层间介质层等。然后基于dprm(dummy poly removal，伪栅极去除)工艺将伪栅极材料去除，并使用栅极材料制备形成栅极结构。
2、伪栅极结构通常还包括由栅介质层和刻蚀停止层组成的功能层，该功能层位于伪栅极材料与半导体衬底之间。然而，技术人员发现，在经过dprm工艺将伪栅极材料去除后，功能层出现缺失，并且半导体衬底的有源区也存在较大程度的损伤，导致产品的电性能和可靠性受到影响。
技术实现思路
1、有鉴于此，本说明书多个实施例致力于提供一种半导体结构及其制备方法、半导体布局版图、mos器件，可以减少制备工艺中出现的功能层缺失及有源区损伤。
2、本说明书的一个实施例提供一种半导体结构的制备方法，所述方法包...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹坑与所述有源区表面的相接处形成所述凹坑的另一侧顶部；所述凹坑还具有自所述另一侧顶部向凹坑底部延伸的下降面；所述功能层与所述浅沟槽隔离区域之间的接触面的宽度小于所述下降面的宽度，或大于所述凹坑的宽度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对应所述伪栅极结构的位置，制备形成栅极结构的步骤，包括：
4.根据权利要求1～3中任一所述的方法，其特征在于，所述功能层包括与所述浅沟槽隔离区接触的栅介质层和设置在所述栅介质层上的刻蚀停止层...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹坑与所述有源区表面的相接处形成所述凹坑的另一侧顶部；所述凹坑还具有自所述另一侧顶部向凹坑底部延伸的下降面；所述功能层与所述浅沟槽隔离区域之间的接触面的宽度小于所述下降面的宽度，或大于所述凹坑的宽度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对应所述伪栅极结构的位置，制备形成栅极结构的步骤，包括：
4.根据权利要求1～3中任一所述的方法，其特征在于，所述功能层包括与所述浅沟槽隔离区接触的栅介质层和设置在所述栅介质层上的刻蚀停止层；所述伪栅极材料层层叠在所述刻蚀停止层上。
5.一种半导体结构，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述凹坑与所述有源区表面的相接处形成所述凹坑的另一侧顶部；所述凹坑还具有自所述另一侧顶部向凹坑底部延伸的下降面；...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋聪强，施平，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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