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一种在半导体结构中形成氧化阻障层的方法，包括在第一处理腔室中在半导体结构的半导体区域的暴露表面上形成接触层，其中所述半导体区域包括掺杂有p型掺杂剂的硅锗，并且接触层包括锗(Ge)比率范围在60％和100％之间的硅锗(SiGe)，并通过在第一...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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