CVD浸泡处理的氧化阻障层制造技术

一种在半导体结构中形成氧化阻障层的方法，包括在第一处理腔室中在半导体结构的半导体区域的暴露表面上形成接触层，其中所述半导体区域包括掺杂有p型掺杂剂的硅锗，并且接触层包括锗(Ge)比率范围在60％和100％之间的硅锗(SiGe)，并通过在第一处理腔室中向接触层的表面施加含镓(Ga)的液体前体，在接触层上形成包括镓(Ga)的氧化阻障层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本文所述的实施例总体上涉及半导体器件制造，并且更特别地，涉及在半导体结构内形成接触的系统和方法。

技术介绍

1、多栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，如互补金属氧化物半导体(cmos)器件，由于其三维(3d)设计和小尺寸，在制造性方面面临挑战性。在先进的cmos器件中，常常会利用在沟槽接触的底部形成的含硅材料的外延层(例如，掺硼的p型硅锗或掺磷的n型硅)将接触电阻率降低至10-9ω·cm2范围内，并达实现先进cmos技术所需的性能。通常，p型外延层是由具有高锗(ge)浓度的硅锗(sige)形成，所述高锗(ge)浓度例如约60％和约80％，或在某些情况下为100％，以便最小化接触电阻。然而，已知具有高锗(ge)浓度的硅锗(sige)外延层在大气环境中经历快速表面氧化，导致形成锗氧化物和亚氧化物。这些氧化物层可能会在硅锗(sige)外延层与形成在外延层上的硅化物金属层之间的界面产生残余氧，从而增加接触电阻率。这些氧化物层可以通过使用基于溅射的预清洁处理移除，但这可能导致不良影响，如晶体缺陷的产生、掺杂剂的失活、以及在外延层中的材料移除，都会导致电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在半导体结构中形成氧化阻障层的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述接触层包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述施加所述含镓(Ga)的液体前体是在300℃至400℃的范围内的温度下执行。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其中

7.根据权利要求5所述的方法，其中

8.一种在半导体结构中形成电接触的方法，包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中

<p>10.根据权利要...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种在半导体结构中形成氧化阻障层的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述接触层包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述施加所述含镓(ga)的液体前体是在300℃至400℃的范围内的温度下执行。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其中

7.根据权利要求5所述的方法，其中

8.一种在半导体结构中形成电接触的方法，包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中

10.根据权利要求8所述的方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：尼古拉斯·路易斯·布雷尔，黃奕樵，耶稣·阿维拉·阿文达诺，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：