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文档序号:44435630
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本发明涉及一种半导体器件(2)。半导体器件具有电路载体(S),电路载体具有第一导体层(CU1),在第一导体层中构成第一导体电路(F1)。半导体器件具有第一晶闸管芯片(C1),第一晶闸管芯片在其上侧具有阳极触点(A10)和栅极触点(G10)并...
该专利属于西门子股份公司所有,仅供学习研究参考,未经过西门子股份公司授权不得商用。
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