【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种半导体器件(2)，具有：
2.根据权利要求1所述的半导体器件(2)，所述半导体器件具有：
3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件(2)，所述半导体器件具有：
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件(2)，所述半导体器件具有：
5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件(2)，所述半导体器件具有第四控制触点(44)，所述第四控制触点通过第一导体电路(CU1、F1)与所述第一晶闸管芯片(C1)的阴极触点(K10)电连接。
6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件(2)，其中，所述至少一个...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体器件(2)，具有：
2.根据权利要求1所述的半导体器件(2)，所述半导体器件具有：
3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件(2)，所述半导体器件具有：
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件(2)，所述半导体器件具有：
5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件(2)，所述半导体器件具有第四控制触点(44)，所述第四控制触点通过第一导体电路(cu1、f1)与所述第一晶闸管芯片(c1)的阴极触点(k10)电连接。
6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件(2)，其中，所述至少一个导电连接元件(22、d)是下...
【专利技术属性】
技术研发人员：W·阿普费尔巴彻，S·兰根，
申请(专利权)人：西门子股份公司，
类型：发明
国别省市：
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