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方法包括在半导体衬底上形成集成电路器件、形成贯穿半导体衬底的通孔、以及形成围绕通孔的伪图案。伪图案包括具有第一图案密度的第一多个伪图案和第二多个伪图案。第一多个伪图案位于通孔和第二多个伪图案之间。第二多个伪图案具有不同于第一图案密度的第二图...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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