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实施以下工序：第一工序，向形成有侧壁由硅膜形成且底壁由含锗膜形成的凹部的基板供给包含含卤素气体和碱性气体的处理气体，以使所述硅膜的表面改性来生成反应生成物；第二工序，去除所述反应生成物来扩大所述凹部的宽度；将由所述第一工序和所述第二工序构成...
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