温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种MOSFET器件及制备方法，包括衬底、位于所述衬底上方的外延层、位于所述衬底下方的漏极电极、位于所述外延层中的电流扩展区、位于所述电流扩展区上方的阱区、位于所述阱区中的源区、位于所述源区中的体区，位于所述外延层两端的凹槽、位...
该专利属于南京南瑞半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京南瑞半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。