温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种制造半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：形成基于ＧａＮ的半导体层的步骤（Ｓ１０）；在所述基于ＧａＮ的半导体层上形成Ａｌ膜的步骤（Ｓ２０）；形成掩模层的步骤（Ｓ３０、Ｓ４０），所述掩模层由腐蚀速度比所述Ａｌ膜的构成材料小的材...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。