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本申请公开了一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机，可用于半导体制造领域，该方法中，首先，获取套刻误差分布数据；而后，基于套刻误差分布数据，通过预先建立的补偿模型，得到目标补偿方案；目标补偿方案包括目标应力补偿方案和目标局部热补偿方案；...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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