【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，芯片的集成度显著提升，对于光刻工艺中套刻误差的要求愈发严格。
2、在半导体制造中，套刻误差指每层电路之间的便宜，可以定量地描述为光刻图案与参考图案之间在x方向和y方向的坐标偏差。传统投影式光刻系统依赖光学镜头进行套刻误差的补偿，然而，随着技术节点的缩小，这种补偿能力逐渐接近极限，难以满足目前对光刻质量的要求。
3、由此，如何减小光刻工艺的套刻误差，成为需要解决的问题。
技术实现思路
1、基于上述问题，本申请提供了一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机，可以减小光刻工艺的套刻误差。
2、本申请实施例公开了如下技术方案：
3、第一方面，本申请实施例提供了一种光刻工艺套刻误差补偿方法，所述方法包括：
4、获取套刻误差分布数据；所述套刻误差分布数据包括各个采集点的光刻图案与参考图案之间的偏移值；
5、基于所述套...
【技术保护点】
1.一种光刻工艺套刻误差补偿方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述补偿模型，通过以下方法建立：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一关联关系，通过仿真模型对所述多个可选补偿方案进行仿真，建立补偿方案与补偿参数之间的第二关联关系之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标应力补偿方案驱动应力执行器向掩模版施加补偿应力；基于所述目标局部热补偿方案驱动热补偿器件向掩模版施加补偿热剂量之后，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所...
【技术特征摘要】
1.一种光刻工艺套刻误差补偿方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述补偿模型，通过以下方法建立：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一关联关系，通过仿真模型对所述多个可选补偿方案进行仿真，建立补偿方案与补偿参数之间的第二关联关系之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标应力补偿方案驱动应力执行器向掩模版施加补偿应力；基于所述目标局部热补偿方案驱动热补偿器件向掩模版施加补偿热剂量之后，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标应力补偿方案驱动应力执行器向掩模版施加补偿应力；基于所述目标局部热补偿方案驱...
【专利技术属性】
技术研发人员：芮定海，张利斌，韦亚一，粟雅娟，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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