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提供了半导体结构及其形成方法。在实施例中，示例性半导体结构包括第一晶体管。第一晶体管包括：第一栅极结构，包裹设置在衬底上方的多个第一纳米结构；第一源极/漏极部件，电耦合至多个第一纳米结构的最顶部纳米结构，并且通过第一介电层与多个第一纳米结构...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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