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形成半导体器件的方法包括在开口中沉积目标金属层。沉积目标金属层包括实施多个沉积循环。多个沉积循环的初始沉积循环包括：在开口中流动第一前体；在流动第一前体之后，在开口中流动第二前体；以及在开口中流动反应物。第一前体附接至开口中的上表面，并且第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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