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一种半导体元件包含第一晶体管和第二晶体管。一第一晶体管包含第一半导体通道层、第一栅极结构,和第一源/漏极磊晶结构。第一半导体通道层具有第一晶向。第一栅极结构环绕第一半导体通道层。第一源/漏极磊晶结构位于第一半导体通道层的相对两端。第二晶体管...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种半导体元件包含第一晶体管和第二晶体管。一第一晶体管包含第一半导体通道层、第一栅极结构,和第一源/漏极磊晶结构。第一半导体通道层具有第一晶向。第一栅极结构环绕第一半导体通道层。第一源/漏极磊晶结构位于第一半导体通道层的相对两端。第二晶体管...