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本发明提供了一种基于低氧含量氧化镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法，涉及半导体材料制造工艺技术领域。所述氧化镓薄膜的制备方法包括以下步骤：在稀有气体气氛下，在衬底表面采用氧化镓作为靶材进行磁控溅射，得到带有低氧含量氧化镓缓冲层的衬底；在氧气及...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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