【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料制造工艺，尤其涉及一种基于低氧含量氧化镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法。
技术介绍
1、氧化镓是一种带隙在4.5～4.9ev的宽带隙半导体，因其具有较宽的带隙，所以其在可见光波段具有80％以上的透过率，而其在深紫外波段，尤其是其吸收边的250nm具有很强的光吸收特性。其还具有击穿电场大，稳定性高，介电常数小等优势，已经在5g通信，紫外探测，太阳能电池，新能源汽车等领域中展现出巨大的应用潜力。
2、氧化镓薄膜因其二维特性能较好的将其应用在器件上，而氧化镓薄膜的成膜质量很大程度的影响了氧化镓薄膜器件的性能。目前生长氧化镓薄膜的方法主要分为同质外延生长和异质外延生长，同质外延生长虽然不存在晶格失配等问题，能得到质量较高的薄膜，但是大尺寸的单晶氧化镓制备较为困难且成本高昂，且氧化镓因其本身的物理特性较难形成p型掺杂的半导体。综上，都会影响同质外延生长的氧化镓薄膜在实际中的应用。而异质外延生长主要在硅，石英，蓝宝石衬底上，相较于蓝宝石，硅衬底具有优秀的热导率，且大尺寸的硅衬底工艺较为成熟，成本较低，且利于氧化镓...
【技术保护点】
1.一种基于低氧含量氧化镓缓冲层的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种基于低氧含量氧化镓缓冲层的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述的磁控溅射的参数如下：
3.根据权利要求2所述的一种基于低氧含量氧化镓缓冲层的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述衬底为Si衬底或SiO2衬底。
4.根据权利要求3所述的一种基于低氧含量氧化镓缓冲层的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述的低氧含量氧化镓缓冲层的厚度为10～400nm。
5.根据权利要求2～4任意一项...
【技术特征摘要】
1.一种基于低氧含量氧化镓缓冲层的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种基于低氧含量氧化镓缓冲层的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述的磁控溅射的参数如下：
3.根据权利要求2所述的一种基于低氧含量氧化镓缓冲层的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述衬底为si衬底或sio2衬底。
4.根据权利要求3所述的一种基于低氧含量氧化镓缓冲层的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述的低氧含量氧化镓缓冲层的厚度为10～400nm。
5.根据权利要求2～4任意一项所述的一种基于低氧含量氧化镓缓冲层的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述磁控溅射的参数如下：
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