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本技术的各种实施例针对包括设置在半导体衬底上的电阻结构的集成芯片。介电结构设置在半导体衬底上方。电阻结构设置在介电结构内。电阻结构包括薄膜电阻(TFR)层以及设置在薄膜电阻层上的第一覆盖结构。第一孔穴设置在介电结构内且邻接第一覆盖结构的第一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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