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本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一基底、一熔丝结构、一第一字元线以及一掺杂区。该熔丝结构包括一熔丝电极，设置在该基底内。该掺杂区围绕该第一字元线。该熔丝结构的该熔丝电极与该第一字元线之间的一水平距离沿着远离该基...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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