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一种三维存储器器件包括绝缘层和导电层的交替堆叠，其在接触区中具有阶梯式表面；存储器开口，其竖直延伸穿过该交替堆叠；存储器开口填充结构，其位于该存储器开口中；至少一个后向阶梯式介电材料部分，其覆盖在该交替堆叠上；鳍状介电柱结构，其竖直延伸穿过...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。

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