【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开整体涉及半导体器件领域，并且具体地涉及含有自对准字线接触通孔结构的三维存储器器件及其制造方法。
技术介绍
1、每个单元具有一个位的三维竖直nand串在t.endoh等人的名称为“具有堆叠的包围栅极晶体管(s-sgt)结构化单元的新型超高密度存储器(novel ultra high densitymemory with a stacked-surrounding gate transistor(s-sgt)structured cell)”，iedm proc.(2001)33-36的文章中公开。
技术实现思路
1、根据本公开的一个方面，提供了一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，所述交替堆叠在接触区中具有阶梯式表面；存储器开口，所述存储器开口竖直延伸穿过所述交替堆叠；存储器开口填充结构，所述存储器开口填充结构位于所述存储器开口中，其中所述存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括相应竖直存储器元件堆叠和相应竖直半导体沟道；至少一个后向阶梯式介电材...
【技术保护点】
1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述鳍状介电柱结构中的每个鳍状介电柱结构包括至少一个介电鳍，所述至少一个介电鳍在所述绝缘层中的相应一个绝缘层的层级处侧向向外突出。
3.根据权利要求2所述的三维存储器器件，其中所述至少一个介电鳍中的一个或多个介电鳍包括与所述绝缘层中的相应一个绝缘层接触的圆柱形侧壁。
4.根据权利要求2所述的三维存储器器件，其中所述鳍状介电柱结构中的每个鳍状介电柱结构包括介电基座结构，所述介电基座结构从衬底竖直延伸到所述层接触通孔结构中的相应一个层接触通孔结
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述鳍状介电柱结构中的每个鳍状介电柱结构包括至少一个介电鳍，所述至少一个介电鳍在所述绝缘层中的相应一个绝缘层的层级处侧向向外突出。
3.根据权利要求2所述的三维存储器器件，其中所述至少一个介电鳍中的一个或多个介电鳍包括与所述绝缘层中的相应一个绝缘层接触的圆柱形侧壁。
4.根据权利要求2所述的三维存储器器件，其中所述鳍状介电柱结构中的每个鳍状介电柱结构包括介电基座结构，所述介电基座结构从衬底竖直延伸到所述层接触通孔结构中的相应一个层接触通孔结构的底表面。
5.根据权利要求4所述的三维存储器器件，其中对于所述鳍状介电柱结构中的每个鳍状介电柱结构：
6.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述鳍状介电柱结构中的所述相应一个鳍状介电柱结构的顶表面位于所述导电层中的所述相应一个导电层的顶表面处或在所述导电层中的所述相应一个导电层的顶表面的上方。
7.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中：
8.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述层接触通孔结构中的每个层接触通孔结构包括与所述导电层中的所述相应一个导电层的环形顶表面区段接触的相应环形底表面。
9.根据权利要求8所述的三维存储器器件，其中所述层接触通孔结构中的每个层接触通孔结构还包括相应的凸起底表面，所述凸起底表面接触所述鳍状介电柱结构中的所述相应一个鳍状介电柱结构的顶表面区段并位于包括所述相应环形底表面的水平平面上方。
10.根据权利要求9所述的三维存储器器件，其中所述层接触通孔结构中的每个层接触通孔结构包括内部圆柱形侧壁，所述内部圆柱形侧壁接触所述鳍状介电柱结构中的所述相应一个鳍状介电柱结构的圆柱形侧壁的上部部分。
11.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述层接触通孔结构中的一个层接触通孔结构包括：
12.根据权利要求11所述的三维存储器器件，还包括插置在所述至少一个后向阶梯式介电材料部分与所述交替堆叠的所述阶梯式表面之间的至少一个介电衬垫，其中所述至少一个介电衬垫的水平表面位于与所述层接触通孔结构中的所述一个层接触通孔结构的所述环形顶表面相同的水平平面内。
13.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述层接触通孔结构中的一个层接触通孔结构包括直圆柱形侧壁，所述直圆柱形侧壁从所述层接触通孔结构中的所述一个层接触通孔结构的顶表面竖直延伸到所述导电层中的一个导电层的水平表面。
14.一种形成三维存储器器件的方法，所述方法包括：
15.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中：
17.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：
18.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：松野光一，舟山幸太，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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